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ES2BAHR3G

ES2BAHR3G

Nur als Referenz

Teilenummer ES2BAHR3G
PNEDA Teilenummer ES2BAHR3G
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 8.334
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ES2BAHR3G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerES2BAHR3G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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ES2BAHR3G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If950mV @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.25pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AC, SMA
LieferantengerätepaketDO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

2.1pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123

Lieferantengerätepaket

SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

BAT60AE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

10V

Current - Average Rectified (Io)

3A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

370mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.6mA @ 8V

Kapazität @ Vr, F.

35pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOD323-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

GL34A-E3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 500mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AA (Glass)

Lieferantengerätepaket

DO-213AA (GL34)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

JANTXV1N5619US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/429

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, A

Lieferantengerätepaket

D-5A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

VS-42HFR80M

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 125A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

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