EPC2106
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| Teilenummer | EPC2106 |
| PNEDA Teilenummer | EPC2106 |
| Beschreibung | GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 78.744 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 7 - Mai 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EPC2106 Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2106 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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EPC2106 Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
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