EPC2106ENGRT Datenblatt
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 50V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 50V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
