EPC2023
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| Teilenummer | EPC2023 |
| PNEDA Teilenummer | EPC2023 |
| Beschreibung | GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 52.068 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EPC2023 Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2023 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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EPC2023 Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 40A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5345pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Ta), 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolGaN™ FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 960µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 157pF @ 400V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 55.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-HSOF-8-3 Paket / Fall 8-PowerSFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS™ FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 190mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 104pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT89 Paket / Fall TO-243AA |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - FET-Typ - Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) (90°C) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 16A Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 282W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AB Paket / Fall TO-247-3 |
