EPC2023 Datenblatt
EPC2023 Datenblatt
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EPC
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EPC2023
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 40A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Die Paket / Fall Die |
