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EL7457CUZ

EL7457CUZ

Nur als Referenz

Teilenummer EL7457CUZ
PNEDA Teilenummer EL7457CUZ
Beschreibung IC DVR CMOS QUAD 40MHZ 16-QSOP
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 13.869
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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EL7457CUZ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEL7457CUZ
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
EL7457CUZ, EL7457CUZ Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 688,08 KB)
PDFEL7457CU-T7 Datenblatt Cover
EL7457CU-T7 Datenblatt Seite 2 EL7457CU-T7 Datenblatt Seite 3 EL7457CU-T7 Datenblatt Seite 4 EL7457CU-T7 Datenblatt Seite 5 EL7457CU-T7 Datenblatt Seite 6 EL7457CU-T7 Datenblatt Seite 7 EL7457CU-T7 Datenblatt Seite 8 EL7457CU-T7 Datenblatt Seite 9 EL7457CU-T7 Datenblatt Seite 10 EL7457CU-T7 Datenblatt Seite 11

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EL7457CUZ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHigh-Side or Low-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber4
Gate-TypN-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 18V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)13.5ns, 13ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket16-QSOP

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 1V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 8ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-DFN (3x3)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

0V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 2A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 18 Leads

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

90ns, 40ns

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

LM5109AMAX

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

108V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DGD0227S8-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.7V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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