EGP10GE-E3/54
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| Teilenummer | EGP10GE-E3/54 |
| PNEDA Teilenummer | EGP10GE-E3-54 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 49.260 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 5 - Feb 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EGP10GE-E3/54 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EGP10GE-E3/54 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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EGP10GE-E3/54 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
| Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-204AL (DO-41) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 28A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.15V @ 12A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. 68pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 430A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.83V @ 1350A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 35mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Clamp On Paket / Fall DO-200AA, A-PUK Lieferantengerätepaket DO-200AA, A-PUK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 10A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 680mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 200°C (Max) |
