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VS-SD403C08S10C

VS-SD403C08S10C

Nur als Referenz

Teilenummer VS-SD403C08S10C
PNEDA Teilenummer VS-SD403C08S10C
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 430A DO200AA
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.646
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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VS-SD403C08S10C Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-SD403C08S10C
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
VS-SD403C08S10C, VS-SD403C08S10C Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 253,87 KB)
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VS-SD403C08S10C Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)800V
Current - Average Rectified (Io)430A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.83V @ 1350A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr35mA @ 800V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypClamp On
Paket / FallDO-200AA, A-PUK
LieferantengerätepaketDO-200AA, A-PUK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

505mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3.1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1250µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

75pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-XDFN

Lieferantengerätepaket

DSN1006-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

RGP10JHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

S85VR

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1400V

Current - Average Rectified (Io)

85A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 85A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

RS3DHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

44pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CMS17(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

480mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

90pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-128

Lieferantengerätepaket

M-FLAT (2.4x3.8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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