EGP10B-E3/73
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| Teilenummer | EGP10B-E3/73 |
| PNEDA Teilenummer | EGP10B-E3-73 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.508 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 20 - Mär 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EGP10B-E3/73 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EGP10B-E3/73 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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EGP10B-E3/73 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 22pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-204AL (DO-41) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 7500V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 8.8V @ 2A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 7500V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket TLM833S Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
