EGL41DHE3_A/H
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| Teilenummer | EGL41DHE3_A/H |
| PNEDA Teilenummer | EGL41DHE3_A-H |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.822 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EGL41DHE3_A/H Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EGL41DHE3_A/H |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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EGL41DHE3_A/H Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Lieferantengerätepaket | DO-213AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 6A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.68V @ 60A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 81ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 8pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Littelfuse Inc. Serie Gen2 Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 45A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 20A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 960pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2L Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 45pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
