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EG01AW

EG01AW

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Teilenummer EG01AW
PNEDA Teilenummer EG01AW
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 500MA AXIAL
Hersteller Sanken
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Auf Lager 7.236
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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EG01AW Ressourcen

Marke Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEG01AW
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
EG01AW, EG01AW Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 305,87 KB)
PDFEG01A Datenblatt Cover
EG01A Datenblatt Seite 2 EG01A Datenblatt Seite 3 EG01A Datenblatt Seite 4 EG01A Datenblatt Seite 5

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EG01AW Technische Daten

HerstellerSanken
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)500mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2V @ 500mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallAxial
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

45pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

HER206-AP

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 40V

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-15

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

B0530WF RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

130µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

MSS1P3-E3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

MicroSMP

Lieferantengerätepaket

MicroSMP

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SBR5E45P5-13D

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

280µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerDI™ 5

Lieferantengerätepaket

PowerDI™ 5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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