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EFC6601R-A-TR

EFC6601R-A-TR

Nur als Referenz

Teilenummer EFC6601R-A-TR
PNEDA Teilenummer EFC6601R-A-TR
Beschreibung MOSFET 2N-CH EFCP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.924
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

EFC6601R-A-TR Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEFC6601R-A-TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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EFC6601R-A-TR Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max2W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFBGA, FCBGA
LieferantengerätepaketEFCP2718-6CE-020

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6250pF @ 25V

Leistung - max

320W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-SMD Module, 9 Leads

Lieferantengerätepaket

24-SMPD

AON7810

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

542pF @ 15V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (3x3)

EM6K6T2R

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 300mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

SIZ926DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

Leistung - max

20.2W, 40W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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