EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
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| Teilenummer | EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR |
| PNEDA Teilenummer | EDB1316BDBH-1DAAT-F-R-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.200 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR, EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Datenblatt
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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Speichergröße | 1Gb (64M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.14V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 134-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 134-VFBGA (10x11.5) |
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