CY7C1168KV18-400BZXC
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| Teilenummer | CY7C1168KV18-400BZXC |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1168KV18-400BZXC |
| Beschreibung | IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.864 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1168KV18-400BZXC Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1168KV18-400BZXC |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1168KV18-400BZXC Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
| Speichergröße | 18Mb (1M x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 165-FBGA (13x15) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.1V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 200-WFBGA Lieferantengerätepaket 200-WFBGA (10x14.5) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR3 Speichergröße 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.2V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 178-VFBGA Lieferantengerätepaket 178-FBGA (11.5x11) |
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