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EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

Nur als Referenz

Teilenummer EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
PNEDA Teilenummer EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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EDB1316BDBH-1DAAT-F-D Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEDB1316BDBH-1DAAT-F-D
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D, EDB1316BDBH-1DAAT-F-D Datenblatt (Total Pages: 145, Größe: 1.817,13 KB)
PDFEDB1332BDPC-1D-F-R TR Datenblatt Cover
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EDB1316BDBH-1DAAT-F-D Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße1Gb (64M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall134-VFBGA
Lieferantengerätepaket134-VFBGA (10x11.5)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Gb (1G x 1)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UDFN

Lieferantengerätepaket

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IS66WVE2M16DBLL-70BLI

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

32Mb (2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

500MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

Hersteller

Macronix

Serie

MXSMIO™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30µs, 750µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-TBGA, CSPBGA

Lieferantengerätepaket

24-CSPBGA (6x8)

TC58NYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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