TC58NYG1S3HBAI4
Nur als Referenz
| Teilenummer | TC58NYG1S3HBAI4 |
| PNEDA Teilenummer | TC58NYG1S3HBAI4 |
| Beschreibung | 2G NAND SLC 24NM BGA |
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.180 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
TC58NYG1S3HBAI4 Ressourcen
| Marke | Toshiba Memory America, Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | TC58NYG1S3HBAI4 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- TC58NYG1S3HBAI4 Datasheet
- where to find TC58NYG1S3HBAI4
- Toshiba Memory America, Inc.
- Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG1S3HBAI4
- TC58NYG1S3HBAI4 PDF Datasheet
- TC58NYG1S3HBAI4 Stock
- TC58NYG1S3HBAI4 Pinout
- Datasheet TC58NYG1S3HBAI4
- TC58NYG1S3HBAI4 Supplier
- Toshiba Memory America, Inc. Distributor
- TC58NYG1S3HBAI4 Price
- TC58NYG1S3HBAI4 Distributor
TC58NYG1S3HBAI4 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-TFBGA (9x11) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Lieferantengerätepaket 36-DIP Module (18.42x52.96) |
Hersteller Microchip Technology Serie SST39 MPF™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20µs Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 32-PLCC (11.43x13.97) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 4.2ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 14ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 120ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 32-TSOP |
