ECH8659-TL-W
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| Teilenummer | ECH8659-TL-W |
| PNEDA Teilenummer | ECH8659-TL-W |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.578 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ECH8659-TL-W Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ECH8659-TL-W |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ECH8659-TL-W Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.3W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | SOT-28FL/ECH8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 30V Leistung - max 320mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4530pF @ 25V Leistung - max 138W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6-P |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
