Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DTB123ECHZGT116

DTB123ECHZGT116

Nur als Referenz

Teilenummer DTB123ECHZGT116
PNEDA Teilenummer DTB123ECHZGT116
Beschreibung -500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DTB123ECHZGT116 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDTB123ECHZGT116
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DTB123ECHZGT116, DTB123ECHZGT116 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 1.106,01 KB)
PDFDTB123ECHZGT116 Datenblatt Cover
DTB123ECHZGT116 Datenblatt Seite 2 DTB123ECHZGT116 Datenblatt Seite 3 DTB123ECHZGT116 Datenblatt Seite 4 DTB123ECHZGT116 Datenblatt Seite 5 DTB123ECHZGT116 Datenblatt Seite 6 DTB123ECHZGT116 Datenblatt Seite 7 DTB123ECHZGT116 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DTB123ECHZGT116 Datasheet
  • where to find DTB123ECHZGT116
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor DTB123ECHZGT116
  • DTB123ECHZGT116 PDF Datasheet
  • DTB123ECHZGT116 Stock

  • DTB123ECHZGT116 Pinout
  • Datasheet DTB123ECHZGT116
  • DTB123ECHZGT116 Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • DTB123ECHZGT116 Price
  • DTB123ECHZGT116 Distributor

DTB123ECHZGT116 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypPNP - Pre-Biased + Diode
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Widerstand - Basis (R1)2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce39 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Frequenz - Übergang200MHz
Leistung - max200mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSST3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FJN3306RBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SC-75

PDTD123EUF

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

225MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

DTA144EET1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SC-75, SOT-416

DTC314TUT106

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

80mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

UMT3

Kürzlich verkauft

ADG419BRZ

ADG419BRZ

Analog Devices

IC SWITCH SPDT 8SOIC

LT8609SEV#PBF

LT8609SEV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 16LQFN

ADM2582EBRWZ

ADM2582EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

MAX202EEUE

MAX202EEUE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

SFH6106-2T

SFH6106-2T

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 4-SMD

ADR291GRZ

ADR291GRZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

Abracon

FIXED IND 4.7UH 9A 26.7MOHM

CM453232-1R5KL

CM453232-1R5KL

Bourns

FIXED IND 1.5UH 410MA 600 MOHM

VC060318A400RP

VC060318A400RP

VARISTOR 25.5V 30A 0603

HX1188NLT

HX1188NLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC