Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DDTA114YLP-7

DDTA114YLP-7

Nur als Referenz

Teilenummer DDTA114YLP-7
PNEDA Teilenummer DDTA114YLP-7
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.316
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DDTA114YLP-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDDTA114YLP-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
DDTA114YLP-7, DDTA114YLP-7 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 418,03 KB)
PDFDDTA114YLP-7 Datenblatt Cover
DDTA114YLP-7 Datenblatt Seite 2 DDTA114YLP-7 Datenblatt Seite 3 DDTA114YLP-7 Datenblatt Seite 4 DDTA114YLP-7 Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DDTA114YLP-7 Datasheet
  • where to find DDTA114YLP-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DDTA114YLP-7
  • DDTA114YLP-7 PDF Datasheet
  • DDTA114YLP-7 Stock

  • DDTA114YLP-7 Pinout
  • Datasheet DDTA114YLP-7
  • DDTA114YLP-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DDTA114YLP-7 Price
  • DDTA114YLP-7 Distributor

DDTA114YLP-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max250mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-UFDFN
Lieferantengerätepaket3-DFN1006 (1.0x0.6)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DDTA143XE-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

DDTB123EU-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

39 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

FJN3302RTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

FJV4107RMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

UNR321N00L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SSSMini3-F1

Kürzlich verkauft

EN5339QI

EN5339QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-4.6V 14W

MAX3162EAI

MAX3162EAI

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28SSOP

S29AL016J70TFI020

S29AL016J70TFI020

Cypress Semiconductor

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

M27C512-15F1

M27C512-15F1

STMicroelectronics

IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP

ARF444

ARF444

Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

ZM4744A-GS18

ZM4744A-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 15V 1W DO213AB

MAX3491ESD

MAX3491ESD

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

MC74HC373ADWR2G

MC74HC373ADWR2G

ON Semiconductor

IC LATCH OCTAL 3ST TRANS 20SOIC

AD9850BRSZ

AD9850BRSZ

Analog Devices

IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP

TEFT4300

TEFT4300

Vishay Semiconductor Opto Division

SENSOR PHOTO 925NM TOP VIEW RAD

L298P

L298P

STMicroelectronics

IC BRIDGE DRIVER PAR 20POWERSO

RB751S40

RB751S40

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD523F