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DS1250Y-100IND+

DS1250Y-100IND+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1250Y-100IND+
PNEDA Teilenummer DS1250Y-100IND
Beschreibung IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Hersteller Maxim Integrated
Stückpreis
1 ---------- $1.050,7951
50 ---------- $1.001,5391
100 ---------- $952,2831
200 ---------- $903,0271
400 ---------- $861,9804
500 ---------- $820,9337
Auf Lager 252
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 19 - Nov 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DS1250Y-100IND+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1250Y-100IND+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1250Y-100IND+, DS1250Y-100IND+ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 236,32 KB)
PDFDS1250YP-100+ Datenblatt Cover
DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 2 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 3 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 4 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 5 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 6 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 7 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 8 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 9 DS1250YP-100+ Datenblatt Seite 10

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DS1250Y-100IND+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100ns
Zugriffszeit100ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Lieferantengerätepaket32-EDIP

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (64 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

93LC76C-I/W15K

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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