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DS1230YP-100

DS1230YP-100

Nur als Referenz

Teilenummer DS1230YP-100
PNEDA Teilenummer DS1230YP-100_5B
Beschreibung IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
Hersteller Maxim Integrated
Stückpreis
1 ---------- $302,6351
50 ---------- $288,4491
100 ---------- $274,2631
200 ---------- $260,0771
400 ---------- $248,2554
500 ---------- $236,4337
Auf Lager 3.131
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DS1230YP-100 Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1230YP-100
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1230YP-100, DS1230YP-100 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 216,05 KB)
PDFDS1230ABP-70IND+ Datenblatt Cover
DS1230ABP-70IND+ Datenblatt Seite 2 DS1230ABP-70IND+ Datenblatt Seite 3 DS1230ABP-70IND+ Datenblatt Seite 4 DS1230ABP-70IND+ Datenblatt Seite 5 DS1230ABP-70IND+ Datenblatt Seite 6 DS1230ABP-70IND+ Datenblatt Seite 7 DS1230ABP-70IND+ Datenblatt Seite 8 DS1230ABP-70IND+ Datenblatt Seite 9 DS1230ABP-70IND+ Datenblatt Seite 10

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DS1230YP-100 Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite100ns
Zugriffszeit100ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall34-PowerCap™ Module
Lieferantengerätepaket34-PowerCap Module

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

32Gb (1G x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

2133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

200-VFBGA (10x14.5)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

1Tb (128G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

3500ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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