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DS1220AB-120+

DS1220AB-120+

Nur als Referenz

Teilenummer DS1220AB-120+
PNEDA Teilenummer DS1220AB-120
Beschreibung IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 6.168
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DS1220AB-120+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDS1220AB-120+
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
DS1220AB-120+, DS1220AB-120+ Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 195,19 KB)
PDFDS1220AB-150IND Datenblatt Cover
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DS1220AB-120+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatNVSRAM
TechnologieNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite120ns
Zugriffszeit120ns
Spannung - Versorgung4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Lieferantengerätepaket24-EDIP

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Alliance Memory, Inc.

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherschnittstelle

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15µs

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

2Gb (128M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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