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DMP6023LEQ-13

DMP6023LEQ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMP6023LEQ-13
PNEDA Teilenummer DMP6023LEQ-13
Beschreibung MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.262
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMP6023LEQ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMP6023LEQ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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DMP6023LEQ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A (Ta), 18.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53.1nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2569pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2W (Ta), 17.3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

APTM100U13SG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

65A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2000nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

31600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1250W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

Module

Paket / Fall

J3 Module

DMP2035UFDF-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1808pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.03W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type F)

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

FDB8453LZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.1A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 17.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3545pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 66W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Serie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

690mOhm @ 6A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

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