SCT10N120
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| Teilenummer | SCT10N120 |
| PNEDA Teilenummer | SCT10N120 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.228 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SCT10N120 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SCT10N120 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SCT10N120 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | HiP247™ |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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