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DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMN63D8LDW-13
PNEDA Teilenummer DMN63D8LDW-13
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.790
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN63D8LDW-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN63D8LDW-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN63D8LDW-13, DMN63D8LDW-13 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 166,71 KB)
PDFDMN63D8LDW-13 Datenblatt Cover
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DMN63D8LDW-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs870nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 25V
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W, 1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

APTM50DUM25TG

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Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

149A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 74.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1200nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

29600pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP4

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta), 5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 20V, 1175pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15.1pF @ 3V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V, 125nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V

Leistung - max

3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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