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DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN61D8LQ-7
PNEDA Teilenummer DMN61D8LQ-7
Beschreibung MOSFET N-CH 60V SOT23
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.424
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN61D8LQ-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN61D8LQ-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMN61D8LQ-7, DMN61D8LQ-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 505,47 KB)
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DMN61D8LQ-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.470mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)3V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.74nC @ 5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12.9pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)390mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

230mW (Ta), 1.06W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-75

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

IRF8304MTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Ta), 170A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 100W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MX

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MX

FDPF18N50

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

265mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2860pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

38.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SI1426DH-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

IRL2203NSPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

116A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3290pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 180W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR

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LTC4417IUF#PBF

LTC4417IUF#PBF

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IC OR CTRLR SRC SELECT 24QFN

NC7SZ00P5X

NC7SZ00P5X

ON Semiconductor

IC GATE NAND 1CH 2-INP SC70-5

MC33161DMR2G

MC33161DMR2G

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8MICRO

SLA7026M

SLA7026M

Sanken

IC MTR DRV UNIPOLAR 10-44V 18ZIP

ADG1606BCPZ-REEL7

ADG1606BCPZ-REEL7

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 1X16 32LFCSP

74ACT32SC

74ACT32SC

ON Semiconductor

IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

293D226X0010B2TE3

293D226X0010B2TE3

Vishay Sprague

CAP TANT 22UF 20% 10V 1411

IHLP2525CZER1R0M01

IHLP2525CZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

IRLMS6702TRPBF

IRLMS6702TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

MAX11207EEE+T

MAX11207EEE+T

Maxim Integrated

IC ADC 20BIT SIGMA-DELTA 16QSOP

IHLP1212BZER1R5M11

IHLP1212BZER1R5M11

Vishay Dale

FIXED IND 1.5UH 3.8A 32 MOHM SMD