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DMN601DWK-7

DMN601DWK-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN601DWK-7
PNEDA Teilenummer DMN601DWK-7
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 727.254
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 30 - Apr 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN601DWK-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN601DWK-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN601DWK-7, DMN601DWK-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 600,1 KB)
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DMN601DWK-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Leistung - max200mW
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21.3pF @ 10V

Leistung - max

380mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2360pF @ 6V

Leistung - max

2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2254pF @ 25V

Leistung - max

156W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 15V

Leistung - max

2.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric MA

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ MA

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1840pF @ 15V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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