FDW2601NZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | FDW2601NZ |
| PNEDA Teilenummer | FDW2601NZ |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.136 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDW2601NZ Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDW2601NZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDW2601NZ Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1840pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 245mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 125mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V Leistung - max 755mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-WDFN (2x2) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 15V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket Micro8™ |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
