DMN3135LVT-7
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| Teilenummer | DMN3135LVT-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN3135LVT-7 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 505.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DMN3135LVT-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DMN3135LVT-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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DMN3135LVT-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 15V |
| Leistung - max | 840mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 22Ohm @ 40mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.32nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6.2pF @ 10V Leistung - max 800mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 6-MCPH |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3241pF @ 15V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DirectFET™ Isometric MC Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate, 4V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 505pF @ 20V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket SOT-28FL/VEC8 |
