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DMN3013LFG-7

DMN3013LFG-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN3013LFG-7
PNEDA Teilenummer DMN3013LFG-7
Beschreibung MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.124
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN3013LFG-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN3013LFG-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN3013LFG-7, DMN3013LFG-7 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 541,49 KB)
PDFDMN3013LFG-7 Datenblatt Cover
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DMN3013LFG-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 15V
Leistung - max2.16W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerLDFN
LieferantengerätepaketPowerDI3333-8 (Type D)

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Hersteller

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Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 15V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

QS8J1TR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2450pF @ 6V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

SI1563EDH-T1-GE3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.13A, 880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

570mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

62V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Leistung - max

2.27W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

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-

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-

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