Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMN2230U-7

DMN2230U-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN2230U-7
PNEDA Teilenummer DMN2230U-7
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 50.634
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN2230U-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN2230U-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
DMN2230U-7, DMN2230U-7 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 122,7 KB)
PDFDMN2230U-7 Datenblatt Cover
DMN2230U-7 Datenblatt Seite 2 DMN2230U-7 Datenblatt Seite 3 DMN2230U-7 Datenblatt Seite 4 DMN2230U-7 Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMN2230U-7 Datasheet
  • where to find DMN2230U-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN2230U-7
  • DMN2230U-7 PDF Datasheet
  • DMN2230U-7 Stock

  • DMN2230U-7 Pinout
  • Datasheet DMN2230U-7
  • DMN2230U-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN2230U-7 Price
  • DMN2230U-7 Distributor

DMN2230U-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds188pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)600mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23-3
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FCD3400N80Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

32W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMN5040LSS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

836pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

AO3401AL_101

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 50A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

157nC @ 18V

Vgs (Max)

+22V, -10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

390W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

HiP247™

Paket / Fall

TO-247-3

AON7758_001

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Ta), 75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.85mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.2W (Ta), 34W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Kürzlich verkauft

MBR130LSFT1G

MBR130LSFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123L

ADM3076EYRZ

ADM3076EYRZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

ADG849YKSZ-REEL7

ADG849YKSZ-REEL7

Analog Devices

IC SWITCH SPDT SC70-6

RB496EATR

RB496EATR

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TSMD5

KSZ9031RNXIA

KSZ9031RNXIA

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

MMBT2369LT1G

MMBT2369LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 15V 0.2A SOT23

BC33725TA

BC33725TA

ON Semiconductor

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

RK7002BMT116

RK7002BMT116

Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3

TAJE477K010RNJ

TAJE477K010RNJ

CAP TANT 470UF 10% 10V 2917

1SS355VMTE-17

1SS355VMTE-17

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

MSS1P4-M3/89A

MSS1P4-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP