SCTW90N65G2V
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| Teilenummer | SCTW90N65G2V |
| PNEDA Teilenummer | SCTW90N65G2V |
| Beschreibung | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.498 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SCTW90N65G2V Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SCTW90N65G2V |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SCTW90N65G2V Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 390W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | HiP247™ |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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