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DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMN1250UFEL-7
PNEDA Teilenummer DMN1250UFEL-7
Beschreibung MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis
1 ---------- $5,0600
250 ---------- $4,8228
500 ---------- $4,5856
1.000 ---------- $4,3484
2.500 ---------- $4,1508
5.000 ---------- $3,9531
Auf Lager 949
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMN1250UFEL-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMN1250UFEL-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMN1250UFEL-7, DMN1250UFEL-7 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 330,33 KB)
PDFDMN1250UFEL-7 Datenblatt Cover
DMN1250UFEL-7 Datenblatt Seite 2 DMN1250UFEL-7 Datenblatt Seite 3 DMN1250UFEL-7 Datenblatt Seite 4 DMN1250UFEL-7 Datenblatt Seite 5 DMN1250UFEL-7 Datenblatt Seite 6 DMN1250UFEL-7 Datenblatt Seite 7

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DMN1250UFEL-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ8 N-Channel, Common Gate, Common Source
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 6V
Leistung - max660mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall12-UFQFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketU-QFN1515-12

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 15V

Leistung - max

3.1W, 2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1840pF @ 800V

Leistung - max

20mW (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Leistung - max

277W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.5A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W, 1.16W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1821pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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