DMN1250UFEL-7
Nur als Referenz
Teilenummer | DMN1250UFEL-7 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | DMN1250UFEL-7 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1 | ||||||||||||||||||
Hersteller | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
|
||||||||||||||||||
Auf Lager | 949 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Voraussichtliche Lieferung | Nov 19 - Nov 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|||||||||||||||||||
|
DMN1250UFEL-7 Ressourcen
Marke | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | DMN1250UFEL-7 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DMN1250UFEL-7 Datasheet
- where to find DMN1250UFEL-7
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMN1250UFEL-7
- DMN1250UFEL-7 PDF Datasheet
- DMN1250UFEL-7 Stock
- DMN1250UFEL-7 Pinout
- Datasheet DMN1250UFEL-7
- DMN1250UFEL-7 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMN1250UFEL-7 Price
- DMN1250UFEL-7 Distributor
DMN1250UFEL-7 Technische Daten
Hersteller | Diodes Incorporated |
Serie | - |
FET-Typ | 8 N-Channel, Common Gate, Common Source |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 6V |
Leistung - max | 660mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 12-UFQFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | U-QFN1515-12 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Transphorm Hersteller Transphorm Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 30A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V Leistung - max 470W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 540mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V Leistung - max 250mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563-6 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4507pF @ 25V Leistung - max 277W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (Max) @ Id 5.55V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1840pF @ 800V Leistung - max 20mW (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket AG-EASY1BM-2 |
Texas Instruments Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 12-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket 12-DSBGA |