DMG2302U-7
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Teilenummer | DMG2302U-7 |
PNEDA Teilenummer | DMG2302U-7 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
Hersteller | Diodes Incorporated |
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DMG2302U-7 Ressourcen
Marke | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | DMG2302U-7 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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DMG2302U-7 Technische Daten
Hersteller | Diodes Incorporated |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 594.3pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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