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DMC62D0SVQ-7

DMC62D0SVQ-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMC62D0SVQ-7
PNEDA Teilenummer DMC62D0SVQ-7
Beschreibung MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 49.182
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMC62D0SVQ-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC62D0SVQ-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC62D0SVQ-7, DMC62D0SVQ-7 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 325,36 KB)
PDFDMC62D0SVQ-7 Datenblatt Cover
DMC62D0SVQ-7 Datenblatt Seite 2 DMC62D0SVQ-7 Datenblatt Seite 3 DMC62D0SVQ-7 Datenblatt Seite 4 DMC62D0SVQ-7 Datenblatt Seite 5 DMC62D0SVQ-7 Datenblatt Seite 6 DMC62D0SVQ-7 Datenblatt Seite 7 DMC62D0SVQ-7 Datenblatt Seite 8 DMC62D0SVQ-7 Datenblatt Seite 9 DMC62D0SVQ-7 Datenblatt Seite 10

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DMC62D0SVQ-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN and P-Channel Complementary
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V, 50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.571mA (Ta), 304mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 25V, 26pF @ 25V
Leistung - max510mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.1A (Ta), 3.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V

Leistung - max

1.36W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type B)

SI4539ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

AON7934_101

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 15V, 807pF @ 15V

Leistung - max

2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-EP (3x3)

IRF7324

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2940pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7380TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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