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DMC31D5UDJ-7B

DMC31D5UDJ-7B

Nur als Referenz

Teilenummer DMC31D5UDJ-7B
PNEDA Teilenummer DMC31D5UDJ-7B
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V SOT963
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.412
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DMC31D5UDJ-7B Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC31D5UDJ-7B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC31D5UDJ-7B, DMC31D5UDJ-7B Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 344,34 KB)
PDFDMC31D5UDJ-7 Datenblatt Cover
DMC31D5UDJ-7 Datenblatt Seite 2 DMC31D5UDJ-7 Datenblatt Seite 3 DMC31D5UDJ-7 Datenblatt Seite 4 DMC31D5UDJ-7 Datenblatt Seite 5 DMC31D5UDJ-7 Datenblatt Seite 6 DMC31D5UDJ-7 Datenblatt Seite 7 DMC31D5UDJ-7 Datenblatt Seite 8 DMC31D5UDJ-7 Datenblatt Seite 9

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DMC31D5UDJ-7B Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.220mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.38nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds22.6pF @ 15V
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-963
LieferantengerätepaketSOT-963

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.9V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.35V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1755pF @ 25V

Leistung - max

60W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

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Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12mA, 3mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (Max) @ Id

810mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

DMN2016LHAB-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 10V

Leistung - max

700mW

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