DMN3016LDN-7
Nur als Referenz
| Teilenummer | DMN3016LDN-7 |
| PNEDA Teilenummer | DMN3016LDN-7 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.200 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DMN3016LDN-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | DMN3016LDN-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- DMN3016LDN-7 Datasheet
- where to find DMN3016LDN-7
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMN3016LDN-7
- DMN3016LDN-7 PDF Datasheet
- DMN3016LDN-7 Stock
- DMN3016LDN-7 Pinout
- Datasheet DMN3016LDN-7
- DMN3016LDN-7 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMN3016LDN-7 Price
- DMN3016LDN-7 Distributor
DMN3016LDN-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.1nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1415pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | V-DFN3030-8 (Type J) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V Leistung - max 6.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 51A Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V Leistung - max 390W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 15V Leistung - max 750mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
