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DMC3060LVT-13

DMC3060LVT-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMC3060LVT-13
PNEDA Teilenummer DMC3060LVT-13
Beschreibung MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.994
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMC3060LVT-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC3060LVT-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC3060LVT-13, DMC3060LVT-13 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 485,38 KB)
PDFDMC3060LVT-7 Datenblatt Cover
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DMC3060LVT-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie*
FET-Typ-
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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ON Semiconductor

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-

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 25V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

416pF @ 10V, 536pF @ 10V

Leistung - max

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

APTC60AM18SCG

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

143A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 71.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1036nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

Leistung - max

833W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP6

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-75-6L Dual

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 115mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.87nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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