Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMC25D1UVT-13

DMC25D1UVT-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMC25D1UVT-13
PNEDA Teilenummer DMC25D1UVT-13
Beschreibung MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.192
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMC25D1UVT-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMC25D1UVT-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMC25D1UVT-13, DMC25D1UVT-13 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 644,27 KB)
PDFDMC25D1UVT-7 Datenblatt Cover
DMC25D1UVT-7 Datenblatt Seite 2 DMC25D1UVT-7 Datenblatt Seite 3 DMC25D1UVT-7 Datenblatt Seite 4 DMC25D1UVT-7 Datenblatt Seite 5 DMC25D1UVT-7 Datenblatt Seite 6 DMC25D1UVT-7 Datenblatt Seite 7 DMC25D1UVT-7 Datenblatt Seite 8 DMC25D1UVT-7 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMC25D1UVT-13 Datasheet
  • where to find DMC25D1UVT-13
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMC25D1UVT-13
  • DMC25D1UVT-13 PDF Datasheet
  • DMC25D1UVT-13 Stock

  • DMC25D1UVT-13 Pinout
  • Datasheet DMC25D1UVT-13
  • DMC25D1UVT-13 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMC25D1UVT-13 Price
  • DMC25D1UVT-13 Distributor

DMC25D1UVT-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)25V, 12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.500mA, 3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds27.6pF @ 10V
Leistung - max1.3W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
LieferantengerätepaketTSOT-26

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APTSM120AM25CT3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

148A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

544nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 1000V

Leistung - max

937W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

US6K2TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

TUMT6

AON3818

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaMOS

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 12V

Leistung - max

2.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-DFN (2.9x2.3)

AO9926BL_101

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

630pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FDS6990A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1235pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Kürzlich verkauft

ADM6996MX-AD-T-1

ADM6996MX-AD-T-1

Infineon Technologies

IC SWITCH ETHER 5PORT 128-FQFP

ADM211ARSZ-REEL

ADM211ARSZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 4/5 28SSOP

ICM7555ISA+

ICM7555ISA+

Maxim Integrated

IC OSC SGL TIMER 500KHZ 8-SOIC

TL431ACLP

TL431ACLP

ON Semiconductor

IC VREF SHUNT ADJ TO92-3

WSL0603R1000FEA18

WSL0603R1000FEA18

Vishay Dale

RES 0.1 OHM 1% 1/5W 0603

HCPL-0601

HCPL-0601

Broadcom

OPTOISO 3.75KV OPN COLLECTOR 8SO

ISL8206MIRZ

ISL8206MIRZ

Renesas Electronics America Inc.

DC DC CONVERTER 0.6-6V 6A

MAX9100EUK+T

MAX9100EUK+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R SOT23-5

GS-R424

GS-R424

STMicroelectronics

DC DC CONVERTER 24V 4A

ADA4940-2ACPZ-R7

ADA4940-2ACPZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP DIFF 2 CIRCUIT 24LFCSP

74LVC02AD,118

74LVC02AD,118

Nexperia

IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SO

NJM2120D

NJM2120D

NJR Corporation/NJRC

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP