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DG636EQ-T1-E3

DG636EQ-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer DG636EQ-T1-E3
PNEDA Teilenummer DG636EQ-T1-E3
Beschreibung IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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DG636EQ-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG636EQ-T1-E3
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG636EQ-T1-E3, DG636EQ-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 236,47 KB)
PDFDG636EN-T1-E4 Datenblatt Cover
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DG636EQ-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
SchaltkreisSPDT
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung2:1
Anzahl der Schaltkreise2
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)115Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)1Ohm
Spannung - Versorgung, einfach (V +)2.7V ~ 12V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±2.7V ~ 5V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)60ns, 52ns
-3db Bandbreite610MHz
Ladungsinjektion0.1pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))2.1pF, 4.2pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)100pA
Übersprechen-88dB @ 10MHz
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
Paket / Fall14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket14-TSSOP

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Schaltkreis

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1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

250mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

5mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 3.6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

25ns, 25ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-125pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

182pF, 182pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

3nA

Übersprechen

-94dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-TDFN (3x3)

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Hersteller

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Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

2.1Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

10mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

10ns, 6ns

-3db Bandbreite

125MHz

Ladungsinjektion

13pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

18pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

20pA (Typ)

Übersprechen

-78dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-66

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

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Schaltkreis

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Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

250mOhm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

5mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 3.6V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

25ns, 25ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

-125pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

182pF, 182pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

3nA

Übersprechen

-94dB @ 100kHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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Schaltkreis

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Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

10Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

300mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 3.6V

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-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

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-3db Bandbreite

300MHz

Ladungsinjektion

2pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

4.5pF, 9pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

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