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DG636EN-T1-E4 Datenblatt

DG636EN-T1-E4 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: DG636EN-T1-E4, DG636EQ-T1-E3
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DG636EN-T1-E4

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

115Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

1Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 12V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±2.7V ~ 5V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

60ns, 52ns

-3db Bandbreite

610MHz

Ladungsinjektion

0.1pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

2.1pF, 4.2pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-88dB @ 10MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

16-WFQFN

Lieferantengerätepaket

16-miniQFN (1.8x2.6)

DG636EQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

115Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

1Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2.7V ~ 12V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±2.7V ~ 5V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

60ns, 52ns

-3db Bandbreite

610MHz

Ladungsinjektion

0.1pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

2.1pF, 4.2pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100pA

Übersprechen

-88dB @ 10MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-TSSOP