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DG417DY-E3

DG417DY-E3

Nur als Referenz

Teilenummer DG417DY-E3
PNEDA Teilenummer DG417DY-E3
Beschreibung IC ANALOG SWITCH SPST 8SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 14.064
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DG417DY-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDG417DY-E3
KategorieHalbleiterSchnittstellen-ICsSchnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Demultiplexer
Datenblatt
DG417DY-E3, DG417DY-E3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 225,18 KB)
PDFDG419DY-T1 Datenblatt Cover
DG419DY-T1 Datenblatt Seite 2 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 3 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 4 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 5 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 6 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 7 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 8 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 9 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 10 DG419DY-T1 Datenblatt Seite 11

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DG417DY-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
SchaltkreisSPST - NC
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung1:1
Anzahl der Schaltkreise1
Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)35Ohm
Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)-
Spannung - Versorgung, einfach (V +)12V
Spannungsversorgung, Dual (V ±)±15V
Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)175ns, 145ns
-3db Bandbreite-
Ladungsinjektion60pC
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))8pF, 8pF
Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)250pA
Übersprechen-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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-

Schaltkreis

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1:1

Anzahl der Schaltkreise

4

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

35Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

12V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±15V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

175ns, 145ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

5pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

9pF, 9pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

250pA

Übersprechen

-85dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Analog Devices

Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Schaltkreis

SP4T

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

4:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

270Ohm (Typ)

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

8.1Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

15V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±15V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

230ns, 130ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

15pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

3pF, 12pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

QS4A110QG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Schaltkreis

5PST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

-

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

17Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

6ns, 6.5ns

-3db Bandbreite

1.8GHz

Ladungsinjektion

1.5pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

5pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-70dB @ 5.5MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

24-QSOP

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Hersteller

Serie

-

Schaltkreis

-

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

16:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

200Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

6Ohm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

10V ~ 36V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

±5V ~ 18V

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

136ns, 78ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

0.67pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

3pF, 12.2pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-96dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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28-SOIC

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Hersteller

Maxim Integrated

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Schaltkreis

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Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

60Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

200mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

2V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

30ns, 25ns

-3db Bandbreite

200MHz

Ladungsinjektion

3pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

8pF, 8pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

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