DF200R12KE3HOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | DF200R12KE3HOSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | DF200R12KE3HOSA1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 200A | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 3.576 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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DF200R12KE3HOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF200R12KE3HOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
DF200R12KE3HOSA1, DF200R12KE3HOSA1 Datenblatt
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DF200R12KE3HOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Leistung - max | 1040W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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