DF200R12KE3HOSA1 Datenblatt
DF200R12KE3HOSA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DF200R12KE3HOSA1
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max 1040W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
