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DD104N16KHPSA1

DD104N16KHPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer DD104N16KHPSA1
PNEDA Teilenummer DD104N16KHPSA1
Beschreibung DIODE MODULE GP 1600V 104A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.970
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DD104N16KHPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDD104N16KHPSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
DD104N16KHPSA1, DD104N16KHPSA1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 236,69 KB)
PDFDD104N18KHPSA1 Datenblatt Cover
DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 2 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 3 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 4 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 5 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 6 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 7 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 8 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 9 DD104N18KHPSA1 Datenblatt Seite 10

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DD104N16KHPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)104A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.4V @ 300A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr20mA @ 1600V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 400A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

930mV @ 35A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

640µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

520mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DPAK

MBR30030CTR

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

8mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

220A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

530mV @ 220A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20mA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

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