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DSEI2X61-10B

DSEI2X61-10B

Nur als Referenz

Teilenummer DSEI2X61-10B
PNEDA Teilenummer DSEI2X61-10B
Beschreibung DIODE MODULE 1KV 60A SOT227B
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $44,0177
100 ---------- $41,9543
250 ---------- $39,8910
500 ---------- $37,8277
750 ---------- $36,1082
1.000 ---------- $34,3888
Auf Lager 2.352
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DSEI2X61-10B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDSEI2X61-10B
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
DSEI2X61-10B, DSEI2X61-10B Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 146,88 KB)
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DSEI2X61-10B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieFRED
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.3V @ 60A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr3mA @ 1000V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227B

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Powerex Inc.

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

1200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

22µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200mA @ 800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

760mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

210µA @ 650V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

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