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DBLS157G C1G

DBLS157G C1G

Nur als Referenz

Teilenummer DBLS157G C1G
PNEDA Teilenummer DBLS157G-C1G
Beschreibung BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 7.560
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DBLS157G C1G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDBLS157G C1G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterBrückengleichrichter

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DBLS157G C1G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypSingle Phase
TechnologieStandard
Spannung - Peak Reverse (Max)1kV
Current - Average Rectified (Io)1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1.5A
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 1000V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Gull Wing
LieferantengerätepaketDBLS

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 7.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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GBPC-W

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

W005M-BP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1.5A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-Circular, WOM

Lieferantengerätepaket

WOM

GBU10B

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

GBLA06-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBL

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GBL

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