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D711N68TXPSA1

D711N68TXPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer D711N68TXPSA1
PNEDA Teilenummer D711N68TXPSA1
Beschreibung DIODE GEN PURP 6.8KV 1070A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.460
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

D711N68TXPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerD711N68TXPSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
D711N68TXPSA1, D711N68TXPSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 237,84 KB)
PDFD711N68TXPSA1 Datenblatt Cover
D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 2 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 3 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 4 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 5 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 6 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 7 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 8 D711N68TXPSA1 Datenblatt Seite 9

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D711N68TXPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)6800V
Current - Average Rectified (Io)1070A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.9V @ 1200A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 6800V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AB, B-PUK
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 160°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CD214B-B3100R

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

180pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

2-SMD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N3909AR

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

DB2S30900L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1.3ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

3pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

SSMini2-F5-B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

UFS315JE3/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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