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DB2S30900L

DB2S30900L

Nur als Referenz

Teilenummer DB2S30900L
PNEDA Teilenummer DB2S30900L
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SSMINI2
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 169.962
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DB2S30900L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDB2S30900L
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
DB2S30900L, DB2S30900L Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 455,33 KB)
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DB2S30900L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If580mV @ 100mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)1.3ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F.3pF @ 10V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-79, SOD-523
LieferantengerätepaketSSMini2-F5-B
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle125°C (Max)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

NSB8MTHE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

55pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N5617E3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

35pF @ 12V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

A, Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

P600J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 6A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

150pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

P600, Axial

Lieferantengerätepaket

P600

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-50°C ~ 150°C

FR12G02

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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