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D400N16BXPSA1

D400N16BXPSA1

Nur als Referenz

Teilenummer D400N16BXPSA1
PNEDA Teilenummer D400N16BXPSA1
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.6KV 450A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.390
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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D400N16BXPSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerD400N16BXPSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
D400N16BXPSA1, D400N16BXPSA1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 74,06 KB)
PDFD400N20BXPSA1 Datenblatt Cover
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D400N16BXPSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1600V
Current - Average Rectified (Io)450A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr40mA @ 1600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypStud Mount
Paket / FallDO-205AA, DO-8, Stud
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 180°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

17pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N1206A

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

MBR40250G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

250V

Current - Average Rectified (Io)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

970mV @ 40A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 250V

Kapazität @ Vr, F.

500pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

F1T1GHA0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

T-18, Axial

Lieferantengerätepaket

TS-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

ACDBN160-HF

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

110pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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